Microsemi推出新型碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的肖特基二極管
發(fā)布時(shí)間：2013-03-29 類別：新聞資訊點(diǎn)擊量：6447

致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導(dǎo)體技術(shù)產(chǎn)品的領(lǐng)先供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) 推出采用碳化硅(SiC)材料和技術(shù)的全新1200 V 肖特基二極管系列，新的二極管產(chǎn)品瞄準(zhǔn)廣泛的工業(yè)應(yīng)用，包括太陽(yáng)能逆變器、電焊機(jī)、等離子切割機(jī)、快速車輛充電、石油勘探，以及非常注重功率密度、更高性能和可靠性的其它大功率高壓應(yīng)用。

　　與硅(Si)材料相比，碳化硅(SiC)材料具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，包括較高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)度和更好的導(dǎo)熱性，這些特性可讓設(shè)計(jì)人員創(chuàng)建具有更好性能特性的器件，包括零反向恢復(fù)、不受溫度影響特性、較高的電壓能力，以及較高的工作溫度，從而達(dá)到新的性能、效率和可靠性水平。

　　除了SiC二極管器件固有的優(yōu)勢(shì)之外，美高森美是唯一一家提供大尺寸貼片，背部可焊接的D3 封裝SiC 肖特基二極管的制造商，允許設(shè)計(jì)人員達(dá)到更高的功率密度和較低的制造成本。

　　美高森美公司功率產(chǎn)品部總經(jīng)理Russell Crecraft表示：“我們利用超過(guò)25年的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)和制造專有技術(shù)，推出具有無(wú)與倫比的性能、可靠性和總體質(zhì)量水平的SiC二極管系列。下一代功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)需要更高的功率密度、更高的工作頻率和更高的效率，而美高森美新的碳化硅器件能夠幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員滿足這些需求?！?/p>

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